中科院今日宣告，国内学者研制出了一种简略的制备低维半导体器材的办法用纳米画笔勾勒未来光电子器材，它可以画出各种需求的芯片。
跟着技能的开展，人们对半导体技能的要求渐渐的升高，可是半导体制作难度却是渐渐的变大，10nm以下的工艺极端烧钱，这就需求其他技能。
中科院表明，可预期的未来，需求在更小的面积集成更多的电子元件。针对这种需求，厚度仅有0.3至几纳米（头发丝直径几万分之一）的低维资料应运而生。
这类资料可以比作超薄的纸张，仅仅比纸薄许多，可以用于制备纳米等级厚度的电子器材。
从资料到器材，现有的制备工艺需求经过非常繁琐杂乱的工艺进程，这对快速挑选合适用于制备电子器材的低维资料极为晦气。
近来，中科院上海技能物理研讨所科研人员研制出了一种简略的制备低维半导体器材的办法用纳米画笔勾勒未来光电子器材。
因为二维资料好像薄薄的一张纸，它的性质很简略遭到环境影响。运用这一特性，研讨人员在二维资料外表掩盖一层铁电薄膜，运用纳米探针施加电压在铁电资料外表扫描，经过改动对应方位铁电资料的性质来完结对二维资料性质的精准操控。
当规划好器材功用后，科研人员只需发挥幻想，运用纳米探针画笔在铁电薄膜画布上画出各式各样的电子器材图画，运用铁电薄膜对低维半导体资料物理性质的影响，就能制成所需的器材。
实践试验操作中，画笔是原子力显微镜的纳米探针，它的效果就相当于传统晶体管的栅电极，可拿来加正电压或负电压。
但不同于传统栅电极，原子力显微镜的针尖是可以恣意移动的，好像一支行走的画笔，在水平空间上可以准确画出纳米标准的器材。
在这样的一个进程中，研讨人员经过操控加在针尖上电压的正负性，就能容易构建各种电子和光子器材，比方存储器、光探测器、光伏电池等等。
下图是一张用探针针尖写出来的心形图画，充分体现了图形修改的恣意性。
并且，一个器材在写好之后，用针尖从头加不同的电压进行扫描，还能写成新的功用器材，就像在纸上写字然后用橡皮擦洁净再从头写上相同，即同一个器材可以重复运用、完结不同功用。
就像一个机器人，改写一下操控程序，就能做不同的工作。
研讨人员还进一步将这种探针扫描技能应用于准非易失性存储器。
准非易失性存储器是指一起满意写入数据速度较快，保存数据的时刻较长的一类存储器。开展这类存储技能很有含义，比方它可以在咱们封闭计算机或许突然性、意外性封闭计算机的时分延伸数据的保存时刻。
此外，这种器材制备技能还可用于规划电写入，光读出的存储器，咱们日常运用的光盘便是典型的光读出的存储前言。
因为低维半导体载流子类型在针尖扫描电场效果下会发作改动，这导致其发光强度也会呈现明显改变。
因而结合扫描图形恣意修改的特色，科研人员就可以规划出周期性改变的阵列。
这些阵列图形的每个区域都经过针尖去操控它的载流子类型，从而操控低维资料的发光强度，然后经过一个相机摄影就能直接获取一张荧光强度相片。
每一个存储单元的信息都在这张相片里一望而知，暗的单元可拿来代表存储态中的0，亮的单元可拿来表明1 ，类似于一种新式存储光盘。
科研人员可以简略直接地经过拍荧光相片的方法一起获取每个存储单元的信息。
运用该技能，若用电压读出的方法，理论上的存储密度可以到达几个T-Byte/in2。
本研讨由中国科学院上海技能物理研讨所与复旦大学、华东师范大学、南京大学，中国科学院微电子研讨所等多个课题组协作完结。
研讨成果已于2020年1月24日，发表于《天然-电子学》，文章标题Programmable transition metal dichalcogenide homojunctions controlled by nonvolatile ferroelectric domains。
