12月11日音讯，据国外新闻媒体报道，芯片巨子英特尔在10nm和7nm工艺方面，并未跟上竞争对手的节奏，其现在在芯片工艺方面也落后于台积电和三星。
不过在10nm和7nm方面落后于竞争对手的英特尔，对未来仍是有着明晰的方案，其在未来10年的技能道路图现已被发表，将坚持两年一次晋级的节奏。
英特尔未来十年的技能道路图，是由光刻机厂商阿斯麦的首席技能官Martin van den Brink在世界电子器件大会上发表的，由IEEE（电气和电子工程师协会）所举办的这一大会在本周举办。
阿斯麦所发表的英特尔未来十年技能道路图显现，英特尔本年将开端选用10nm工艺，2020年是10++工艺，2021年则会推出10nm+++工艺。
10nm之后的7nm工艺将在2021年开端选用，7nm+和7nm++则会在随后的两年别离推出。关于7nm工艺，英特尔首席工程官兼技能、体系架构和客户部分总裁默西伦杜琴塔拉(Murthy Renduchintala)在上一年12月份曾泄漏，这一工艺是由一个独立的团队担任，他们将罗致在10nm工艺上的经验，方案按内部开始的方案量产7nm工艺，他们对7nm工艺的发展也十分满足。
技能道路图显现，7nm之后更先进的5nm、3nm、2nm和1.4nm，也已进入了英特尔的视界，其间5nm、3nm和2nm现在都处在道路发现阶段，别离方案在2023年、2025年和2027年选用，2029年拟推出的是1.4nm。
同10nm和7nm工艺相同，5nm、3nm和2nm工艺也会有晋级版，将别离推出+和++工艺，均会在随后的两年推出。
就从ASML发表的技能道路图来看，在10nm和7nm工艺方面落后于台积电的英特尔，5nm和3nm工艺的选用时刻，也将晚于台积电。台积电5nm工艺的良品率现在现已提高到了50%，估计下一年一季度量产，3nm则是方案在2022年量产，均要早于英特尔3年。
