英特尔今天正式发布了665p固态硬盘，这是继660p之后的第二款QLC闪存NVMe固态硬盘，运用96层3D NAND闪存。
Intel 665p沿用了慧荣SM2263EN主控，在晋级闪存的一起，功能和耐用度均有必定进步。特别是官标写入耐久度比较660p进步50%。
依据英特尔揭露的信息显现，Intel 665p将运用动态SLC缓存战略：在盘内空间运用率在50%或更低时，Intel 665p 1TB将具有140GB的缓存，2TB版别具有280GB的缓存（占用部分未运用的用户容量空间）。在盘内空间运用率到达75%之后，SLC缓存的容量将降至保底的12GB或24GB（来自OP预留容量）。
不过QLC闪存在SLC缓存竭尽之后的写入功能仍然不行抱负，Intel 665p 1TB的缓存外次序写入速度仅有100MB/s。因为96层3D QLC闪存产能的原因，Intel 665p上市初期仅供给1TB版别，2TB类型将在2020年第一季度上市。
因为英特尔现已完毕与美光在闪存研制方面的协作伙伴关系，下一年面世的144层3D闪存将由英特尔单独研制，现在的音讯是只会有3D QLC一种形状。
